БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ
кафедра ЭТТ
РЕФЕРАТ на тему:
«Фоторезисты (ФР), виды, требования к ним, методы нанесения»
МИНСК, 2008
Основными параметрами фоторезистов являются свето-чувствительность, разрешающая способность, кислотостойкость, адгезия к подложке и технологичность.
СветочувствительностьS, см2 /(Вт * с),- это величина, обрат-ная экспозиции, т. е. количеству световой энергии, необходи-мой для облучения фоторезиста, чтобы перевести его в нераст-воримое (негативный) или растворимое (позитивный) сос-тояние :
(7.3.1)
где Н - экспозиция Вт * с/см ; Е -- энергооблученноеть, Вт/см2; t -- длительность облучения, с,
Точную характеристику светочувствительности можно полу-чить, учитывая не только процесс экспонирования, но и прояв-ления. Так как проявитель химически взаимодействует с экспо-нированными и неэкспонированными участками слоя фоторе-зиста, процесс проявления оказывает прямое влияние на его светочувствительность. В прямой зависимости от процесса про-явления, а следовательно, и светочувствительности фоторезис-та находится качество формируемого в его слое при проявле-нии рисунка элементов.
Таким образом, критерием светочувствительности фоторезиста служит четкость рельефа рисунка в его слое после проведения процес-сов экспонирования и проявления. При этом рельеф рисунка должен иметь резко очерченную границу между областями удаленного и остав-шегося на поверхности подложки слоя фоторезиста.
Критерием светочувствительности негативных фоторезистов является образование после экспонирования и проявления на поверхности подложки локальных полимеризованных участ-ков -- рельефа рисунка, т. е. полнота прохождения фотохимичес-кой реакции полимеризации (сшивки) молекул основы фо-торезиста.
Критерием светочувствительности позитивных фоторезистов является полнота разрушения и удаления (реакция фото-лиза) с поверхности подложки локальных участков слоя фото-резиста после экспонирования и проявления и образование рель-ефного рисунка.
Фоторезисты характеризуются также пороговой светочув-ствительностью Sn = 1/H1, определяемой началом фотохими-ческой реакции.
Светочувствительность и пороговая светочувствительность фоторезиста зависят от толщины его слоя, а также состава и концентрации проявителя. Поэтому, говоря о значении светочув-ствительности и пороговой светочувствительности, учитывают конкретные условия проведения процесса фотолитографии. Определяют светочувствительность экспериментально, исследуя скорость проявления фоторезиста, которая зависит от степени его облучения.
Разрешающая способность - это один из самых важных параметров фоторезистов, характеризующий их способность к созданию рельефа рисунка с минимальными размерами эле-ментов. Разрешающая способность фоторезиста определяется числом линий равной ширины, разделенных промежутками такой же ширины и умещающихся в одном миллиметре.
Для определения разрешающей способности фоторезис-тов используют штриховые миры, представляющие собой стеклянные пластины с нанесенными на их поверхность штриха-ми шириной от одного до нескольких десятков микрометров. Разрешающую способность определяют проводя экспонирова-ние подложки, покрытой слоем фоторезиста, через штрихо-вую миру, которую используют в качестве фотошаблона. После проявления выделяется участок с различными штрихами наи-меньшей ширины, которые и характеризуют разрешающую способность данного фоторезиста.
Следует различать разрешенную способность фоторезиста и разре-шающую способность процесса фотолитографии, которая зависит от режимов травления. На практике необходимо ориентироваться на разре-шающую способность фотолитографического процесса.
При эпитаксиально-планарной технологии разрешающая спо-собность фотолитографии -- это предельное количество линий в одном миллиметре, вытравленных в слое диоксида крем-ния толщиной 0,5 -- 1,0 мкм через промежутки равной шири-ны. Разрешающая способность лучших современных фоторезис-тов достигает 1500 -- 2000 линий/мм. Разрешающая способ-ность отечественных фоторезистов ФП-383 и ФП-РН-7 составляет 400 -- 500 линий/мм, что позволяет получать контактной и проекционной фотолитографией рисунки элементов, соответ-ственно имеющие размеры 1,25 -- 1,5 и 0,5 -- 0,6 мкм.
Кислотоетойкостъ -- это способность слоя фоторезиста защищать поверхность подложки от воздействия кислотного травителя. Критерием кислотостойкости является время, в те-чение которого фоторезист выдерживает действие травителя до момента появления таких дефектов, как частичное разруше-ние, отслаивание от подложки, локальное точечное расстрав-ливание слоя или подтравливание его на границе с подложкой,
Стойкость фоторезиста к химическим воздействиям зави-сит не только от состава, но и от толщины и состояния его слоя. Поэтому кислотостойкость оценивают фактором травления К = h/х.,(где h - глубина травления; х - боковое подтравли-вание) .
Таким образом, чем меньше боковое подтравливание при заданной глубине травления, тем выше кислотостойкость фоторезиста. Боковое подтравливание характеризуется клином травления.
Адгезия - это способность слоя фоторезиста препятствовать проникновению травителя к подложке по периметру создавае-мого рельефа рисунка элементов. Критерием адгезии является время отрыва слоя фоторезиста заданных размеров от подлож-ки в ламинарном потоке проявителя. В большинстве случаев адгезию считают удовлетворительной, если слой фоторезиста
20x20 мкм2 отрывается за 20 мин. Об адгезии фоторезиста к подложке можно судить по углу смачивания, т. е. состоянию поверхности подложки.
Стабильность свойств фоторезистов характеризуется их сроком службы при определенных условиях хранения и эксплу-атации и обеспечение ее является одной из важнейших проблем производства изделий микроэлектроники.
ОБРАБОТКА ПОВЕРХНОСТИ ПОДЛОЖЕК
Качество процесса фотолитографии во многом определяется меха-ническим и физико-химическим состоянием поверхности подложек.
Механическое состояние поверхности подложек влияет на точность получения элементов рисун-ка, поэтому любые неровности, микробугорки, впадины, цара-пины и риски приводят к их искажению. Кроме того, при нане-сении слоя фоторезиста эти дефекты вызывают появление пу-зырьков или проколов в слое фоторезиста.
Необходимое качество поверхности подложек обеспечива-ется на начальных стадиях их изготовления механической обра-боткой: резкой слитков на пластины, шлифовкой и полировкой пластин, в результате которой их поверхность доводится до зеркального блеска и приобретает идеальную плоскостность и плоскопараллельность.
Физико-химическое состояние поверхнос-ти подложек влияет на ее смачиваемость и адгезию фоторезис-та. Поэтому на рабочих поверхностях подложек не должно быть инородных частиц, а также адсорбированных атомов и ионов жидкостей и газов. Так как большинство фоторезистов содер-жит в своей основе полимеры, обладающие гидрофобными свойствами, то и поверхность подложек должна быть гидро-фобной.
Критерием оценки состояния поверхности подложки может служить краевой угол ее смачивания каплей деионизованной воды. Если капля воды растекается по поверхности подложки, т. е. ее угол смачивания менее 40 °, такую поверхность называ-ют гидрофильной. Поверхность, на которой капля воды не рас-текается и образует угол смачивания более 90 °, называют гидрофобной.
При фотолитографии необходимо, чтобы поверхность подложек была гидрофильна к фоторезисту и гидрофобна к травителю, тогда выт-равленный рисунок будет точно повторять рисунок фотошаблона.
Перед нанесением слоя фоторезиста или какой-либо плен-ки полупроводниковые подложки для удаления органических загрязнений обрабатывают в химических реактивах, а затем подвергают гидромеханической отмывке (Рисунок 7.3.1,а, б).
Рисунок 7.3.1. Схемы гидромеханической отмывки подложек цилиндри-ческой (а) и конической (б) щетками:
1 - форсунка, 2 - щетки, 3 - подложка
Для формирования полупроводниковых структур исполь-зуют пленки полупроводников (Si, Ge, GaAs), диэлектриков (оксида SiO2 и нитрида Si3N7.3.1 кремния, примесно-силикатных стекол) и металлов (Al, V, W, Ti, Аи), а также силицидов и оксидов тугоплавких металлов.
Поверхность подложек с выращенными термическим окис-лением пленками SiO2 сразу после образования пленки гидрофобна. Поэтому рекомендуется непосредственно после окис-ления, не превышая межоперационное время более 1 ч, пере-давать подложки на фотолитографию. Через несколько часов поверхность подложек с пленкой SiO2 становится гидрофиль-ной, на ней адсорбируются молекулы воды из атмосферы, угол смачивания уменьшается до 20 - 30 ° и адгезия фоторезиста падает, что приводит к браку. Для придания поверхности таких подложек гидрофобных свойств их термообрабатывают при 700 -- 800 ° С в сухом инертном газе или в вакууме.
Если слой фоторезиста наносят на пленку примесно-силикат-ного стекла, следует иметь в виду, что поверхность боросиликат-ного стекла гидрофобна и аналогична по поведению пленке SiO2 а фосфоросиликатного стекла гидрофильна (угол смачи-вания не превышает 15 °). Гидрофобные свойства поверхности фосфоросиликатного стекла придают термообработкой при 100 -- 500 °С в течение 1 ч в сухом инертном газе или в ваку-уме. Режим термообработки выбирают в зависимости от тех-нологии изготовления и конструкции микроэлектронного изделия. Гидрофобность силикатных стекол повышают также обработкой их в трихлорэтилене или ксилоле.
Характеристики поверхности пленок Al, V, W, Ti и Аu наносимых вакуумным распылением, зависят от режима про-ведения процесса и смачиваемости подложек. Перед фотоли-тографией пленки обязательно обезжиривают в растворителях.
Эффективным методом повышения адгезии фоторезиста к пленке является ее обработка в парах специальных веществ -- адгезивов, придающих поверхности гидрофобные свойства. Наиболее распространенным адгезивом является гексаметил-дисилазан.
Нанесение слоя фоторезиста. Нанесенный на предваритель-но подготовленную поверхность подложек слой фоторезиста должен быть однородным по толщине по всему их полю, без проколов, царапин (т. е. быть сплошным) и иметь хорошую адгезию.
Наносят слой фоторезиста на подложки в обеспыленной сре-де, соблюдая технологические режимы. Используемый фото-резист должен соответствовать паспортным данным. Перед употреблением его необходимо профильтровать через специаль-ные фильтры, а в особо ответственных случаях (при производ-стве БИС) обработать на центрифуге при частоте вращения 10 - 20 тыс. об/мин в течение нескольких часов. Это делают для того, чтобы удалить из фоторезиста инородные микрочас-тицы размером менее 1 мкм, которые могут привести к бра-ку фоторезистивного слоя. Кроме того, необходимо проверить вязкость фоторезиста и довести ее до нормы.
Для нанесения слоя фоторезиста на подложки используют методы центрифугирования, пульверизации, электростатичес-кий, окунания и полива. Кроме того, применяют накатку пленки сухого фоторезиста.
Методом центрифугирования (Рисунок 7.3.2), наиболее широко используемым в полупроводниковой техно-логии, на несложном оборудовании наносят слои фоторезиста, толщина которых колеблется в пределах ± 10 %. При этом методе на подложку 2, которая устанавливается на столике 3 центрифуги и удерживается на нем вакуумным присосом, фоторезист подается капельницей-дозатором 1. Когда столик приводится во вращение, фоторезист растекается тонким слоем по поверхности подложки, а его излишки сбрасываются с нее и стекают по кожуху 4. При вращении центрифуги с большой частотой происходит испарение растворителя и вязкость фото-резиста быстро возрастает.
Рисунок 7.3.2 (cлева). Установка несения слоя фоторезиста центрифугирова-нием:
1 -- дозатор (капельница), 2 -- подложка, 3 - столик, 4 - кожух для сбора избытка фо-торезиста, 5 - вакуумные уп-лотнители, 6 - электродвига-тель, 7 - трубопровод к ва-куумному насосу
Рисунок 7.3.3(справа). Зависимость толщины слоя фото-резиста от частоты вращения центрифуги при различных коэффициентах его вяз-кости:
1 - v 0,05 см/с, 2 - v = 0,04 см/с, 3 - v = 0,02 см/с
Наносимые центрифугированием слои фоторезиста могут иметь дефекты в виде "комет", образующиеся, если на поверх-ности подложек имелись остаточные загрязнения или фоторезист был плохо отфильтрован. Такие дефекты выглядят, как направ-ленные от центра локальные утолщения или разрывы слоя фоторезиста.
Полуавтомат для нанесения слоя фоторезиста центрифуги-рованием состоит из блоков центрифуг и дозаторов, блока управления, а также блока подачи и приема подложек и выпол-нен в виду двух треков. В блоке центрифуг имеется электро-двигатель малой инерционности, частота вращения которого контролируется специальным электронным блоком. Подложки удерживаются на столиках центрифуг вакуумным присосом, создаваемым системой вакуумной откачки. Блок дозаторов укреплен на задней стенке полуавтомата. Дозирование фоторе-зиста ведется с помощью электроиневмоклапанов, а подача осуществляется под давлением азота. Блок управления обес-печивает согласование работы всех блоков полуавтомата.
Полуавтомат предназначен для одновременного нанесения слоя фоторезиста по двум трекам, на которые загружаются стандартные кассеты с 25 подложками. После нанесения фото-резиста подложки поступают в разгрузочную кассету или прохо-дят по треку на сушку в конвейерную печь.
Достоинствами методами центрифугирования являются его простота, отработанность и удовлетворительная производитель-ность оборудования, а также возможность нанесения тонких слоев фоторезиста с небольшим разбросом по толщине. Недос-татки этого метода -- трудность нанесения толстых слоев фото-резиста (более 3 мкм), необходимость тщательного контроля его коэффициента вязкости и режимов работы центрифуги.
Метод пульверизации (Рисунок 7.3.4), являющийся весьма перспективным, основан на нанесении слоя фоторезиста в виде аэрозоля с помощью форсунки, действующей под дав-лением сжатого воздуха или инертного газа. Подложки распо-лагаются на расстоянии в несколько сантиметров от форсунки, и фоторезист, осаждаясь в виде капель, покрывает их сплош-ным слоем. Метод пульверизации позволяет в автоматическом режиме вести групповую обработку подложек. При этом тол-щина слоя фоторезиста составляет от 0,3 до 20 мкм с точностью не хуже 5 %.
Достоинствами метода пульверизации являются: возмож-ность изменения толщины слоя фоторезиста в широких преде-лах: однородность слоев по толщине; отсутствие утолщений по краям подложек; нанесение фоторезиста на профилирован-ные подложки (в малейшие углубления и отверстия): сравнительно малый расход фоторезиста; высокая производитель-ность и автоматизация процесса; хорошая адгезия слоя к под-ложкам (лучшая, чем при центрифугировании).
Недостатки этого метода состоят в том, что при его исполь-зовании необходимо специально подбирать растворители, так как слой фоторезиста не должен стекать по подложкам. Кроме того, следует тщательно очищать фоторезист и используемый для пульверизации газ.
Основными элементами установки для нанесения слоя фоторезиста .пульверизацией являются форсунка-пульверизатор и стол, на котором закрепляют подложки. Для равномерного покрытия подложек слоем фоторезиста стол и форсунка переме-щаются в двух взаимно перпендикулярных направлениях.
Рисунок 7.3.4. Нанесение слоя фоторезиста пульверизацией:
1 -- область разрежения, 2 -- сопло, 3 -- форсунка, 4 -- регули-рующая игла, 5 -- распыляющий газ, 6 - подача фоторезиста
При электростатическом методе (Рисунок 7.3.5) спой фоторезиста наносят на подложки в электрическом поле напряженностью 1--5 кВ/см. Для создания такого поля между подложкой 3 и специальным кольцевым электродом 2 подают постоянное напряжение 20 кВ. При впрыскивании фоторезиста форсункой 1 в пространство между электродом и подложкой капельки фоторезиста диаметром в несколько микрометров заряжаются, летят под действием электрического поля к под-ложке на ней.
Этот метод имеет высокую производительность и позволяет наносить слой фоторезиста на подложки большой площади. Недостаток его - трудность стабилизации процесса и сложность оборудования.
Методы окуна-ния и полива явля-ются простейшими среди всех методов нанесения слоя фоторезиста.
При окунании подложки погружают на несколько се-кунд в ванну с фоторезис-том, а затем с постоянной скоростью вытягивают из нее в вертикальном положе-нии специальными подъем-ными устройствами и сушат, установив вертикально или наклонно.
Полив фоторезиста на горизонтально расположен-ные подложки обеспечивает лучшую по сравнению с оку-нанием однородность слоя по толщине. Следует отме-тить, что при этом методе неизбежны утолщения слоя фоторезиста по краям.
Окунание и полив применяют для нанесения слоя фото-резиста на подложки больших размеров, а также его толстых слоев (до 20 мкм) на обе стороны подложек. Недостаток этих методов - неоднородность слоя фоторезиста по толщине.
Общим недостатком нанесения жидких фоторезистов является трудность получения сплошных слоев заданной толщины.
Накатка пленки сухого фоторезиста значительно упрощает процесс и обеспечивает получение равно-мерного покрытия на подложках большой площади. Пленочный фоторезист представляет собой трехслойную ленту, в которой слой фоторезиста заключен между двумя полимерными пленка-ми: одна (более прочная) является несущей, а другая -- защитной.
Предварительно защитную пленку удаляют, а фоторезист вместе с несущей пленкой накатывают валиком на подложки, нагретые до 100 °С. Под действием температуры и давления фоторезист приклеивается к подложке. При этом его адгезия к подложке выше, чем к несущей пленке, которую затем сни-мают.
Рисунок 7.3.5. Нанесение фоторезиста в электростатическом поле:
1 - форсунка, 2 - кольцевой элек-трод, 3 -- подложка, 4 -- столик
Недостатки этого метода - большая толщина (10 -- 20 мкм) и низкая разрешающая способность слоя сухого фоторезиста. Поэтому накатку пленки сухого фоторезиста используют толь-ко при больших размерах элементов ИМС.
Сушка слоя фоторезиста. Для окончательного удаления растворителя из слоя фоторезиста его просушивают. При этом уплотняется молекулярная структура слоя, уменьшаются внут-ренние напряжения и повышается адгезия к подложке. Непол-ное удаление растворителя из слоя фоторезиста снижает его кислотостойкость. Для удаления растворителя подложки нагре-вают до температуры, примерно равной 100 °С. Время сушки выбирают оптимальным для конкретных типов фоторезистов.
Температура и время сушки значительно влияют на такие важные параметры фоторезистов, как время их экспонирования и точность передачи размеров элементов после проявления. Большое значение при сушке имеет механизм подвода теплоты. Существует три метода сушки фоторезиста: конвекционный, инфракрасный и в СВЧ-поле.
При конвективной сушке подложки выдер-живают в термокамере при 90 -- 100 °С в течение 15 -- 30 мин. Недостаток этого метода -- низкое качество фоторезистового слоя.
При инфракрасной сушке источником теп-лоты является сама полупроводниковая подложка, поглощаю-щая ИК-излучение от специальной лампы или спирали накали-вания. Окружающая среда (очищенный и осушенный инертный газ или воздух) при этом сохраняет благодаря непрерывной продувке примерно комнатную температуру. Так как "фронт сушки" перемещается от подложки к поверхности слоя фото-резиста, качество сушки по сравнению с конвективной сущест-венно выше, а время сокращается до 5 - 10 мин.
В электронной промышленности широко используются ус-тановки ИК-сушки УИС-1 и конвейерные печи с инфракрас-ными нагревателями. Система измерения и стабилизации тем-пературы в них основана на определении температуры эталон-ных подложек, закрепленных на рамке внутри рабочей камеры, для продувки которой служат вентиляторы. Источниками теп-лоты являются лампы ИК-излучения. Время и температура сушки поддерживаются автоматически.
При СВЧ-сушке подложки нагреваются, погло-щая электромагнитную энергию СВЧ-поля. Такая сушка про-изводится в печах мощностью 200 -- 400 Вт при рабочей час-тоте 2,45 ГГц. Время сушки -- несколько секунд. Достоинством этого метода является высокая производительность, а недос-татками -- сложность оборудования и необходимость тщатель-ного экранирования рабочего объема во избежание облучения оператора, а также неравномерность сушки слоя фоторезиста на различных по электрическим характеристикам участках под-ложек. Поэтому сушке в СВЧ-поле подвергают только однород-ные подложки.
При любом методе сушки ее режимы (время, температура) дол-жны исключать появление структурных изменений в слое фоторезиста. Высушенный слой необходимо экспонировать не позднее чем через 10 ч. Сушку подложек следует выполнять в тщательно обеспыленной среде 10-го и 1-го классов чистоты. Контролируют качество сушки визуаль-но или под микроскопом.
ЛИТЕРАТУРА
Черняев В.Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. Учебник для ВУЗов - М; Радио и связь, 2007 - 464 с: ил.
Технология СБИС. В 2 кн. Пер. с англ./Под ред. С.Зи,- М.: Мир, 2006.-786 с.
Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 2001.-528 с.
Достанко А.П., Баранов В.В., Шаталов В.В. Пленочные токопроводящие системы СБИС.-Мн.: Выш.шк., 2000.-238 с.
Таруи Я. Основы технологии СБИС Пер. с англ. - М.: Радио и связь, 2000-480 с.